MOSFET TPC Series Here are the factual details about the TPC8113 from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 40mΩ (max at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **TPC8113** is a P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high-speed switching performance.  
- Suitable for load switching, power supply circuits, and battery protection.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving and suitable for surface-mount designs.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced directly from Toshiba's datasheet for the TPC8113. Let me know if you need further details.

MOSFET TPC Series The TPC8113 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
  - 60mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Description:**  
The TPC8113 is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in portable devices, load switches, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced power loss  
- High-speed switching performance  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs  
- Suitable for battery-powered applications  
- RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.