SILICON P CHANNEL MOS TYPE The TPC8106-H is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.0A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 90mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** SOP-8  

### **Description:**  
The TPC8106-H is a P-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching. It is suitable for power management in portable devices, battery protection circuits, and load switching applications.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced power loss  
- High-speed switching performance  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs  
- Suitable for battery-powered applications  
- RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.

SILICON P CHANNEL MOS TYPE The TPC8106-H is a P-channel MOSFET manufactured by TOS (Toshiba). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The TPC8106-H is a high-performance P-channel power MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and high-speed switching characteristics.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High reliability and ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

SILICON P CHANNEL MOS TYPE The TPC8106-H is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -6.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.0W (Ta = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 45mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions:**  
- Designed for power management applications.  
- Low on-resistance for efficient power switching.  
- Suitable for load switching, DC-DC converters, and motor control.  

### **Features:**  
- Low gate drive requirements.  
- Fast switching performance.  
- High reliability and ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheets or further technical information, refer to Toshiba’s official documentation.