Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TPC8084 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The TPC8084 is a high-current, low-on-resistance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is suitable for motor control, power supplies, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TPC8084.