Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8082 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The TPC8082 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high-speed switching capabilities.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  

This information is based solely on the available technical specifications for the TPC8082 from Toshiba.