Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8080 is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 12A  
- **Total Power Dissipation (P_TOT):** 80W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TPC8080 is designed for high-power amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-220 package for efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- High current capability (12A)  
- High voltage tolerance (80V V_CEO)  
- Low saturation voltage for improved efficiency  
- Suitable for power supply and motor control applications  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.