Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The **TPC8061-H** is a P-channel MOSFET manufactured by **TOSHIBA**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**
- Designed for power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for high-speed switching due to fast switching characteristics.  

### **Features:**
- Low gate drive requirements.  
- High-speed switching performance.  
- Avalanche energy specified for reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official TOSHIBA datasheet.