Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPC8059-H** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TPC8059-H  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  

### **Descriptions:**  
- The **TPC8059-H** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  
- The TO-220F package provides electrical isolation between the mounting surface and the device.  

### **Features:**  
- Low **R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- Fast switching capability for improved efficiency.  
- Isolated TO-220F package for better thermal management and safety.  
- Suitable for high-current applications (up to 30A).  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the **TPC8059-H**. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official documentation.