Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8055-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TPC8055-H is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TPC8055-H. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.