Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TPC8050-H is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TPC8050-H  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** Power switching, amplification  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 5A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 30W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (min)  

### **Features:**  
- High current capability (up to 5A)  
- Low saturation voltage  
- High-speed switching performance  
- Suitable for power amplification and switching applications  

### **Package:**  
- TO-220 (Standard through-hole package)  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TPC8050-H transistor. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.