Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TPC8047-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 380pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for efficient power conversion.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Robust construction with high current-handling capability.  
- Avalanche energy specified for reliability in harsh conditions.  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TPC8047-H. For detailed application notes or additional parameters, refer to the official documentation.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)