Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TPC8046-H** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating:** High voltage (exact value not specified in Ic-phoenix technical data files)  
- **Current Rating:** High current (exact value not specified in Ic-phoenix technical data files)  
- **Package Type:** TO-247 or similar power package (exact package not confirmed)  
- **Application:** Power switching in high-efficiency circuits  

### **Descriptions:**  
- The **TPC8046-H** is a high-power IGBT designed for efficient switching applications.  
- It is suitable for use in inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced power loss during operation.  
- **High Switching Speed:** Optimized for fast switching applications.  
- **Robust Construction:** Designed for reliability in demanding environments.  

For exact voltage, current, and package details, refer to Toshiba’s official datasheet.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)