Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8042 is a P-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOS FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -4.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -4.2A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TPC8042 is designed for power switching applications.  
- It is suitable for low-voltage, high-efficiency circuits.  
- The device is housed in a compact surface-mount package (e.g., SOP-8 or similar).  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching speed.  
- Suitable for battery-powered and portable devices.  
- RoHS compliant.  

For exact package details and additional electrical characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.