Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) Here is the factual information about part **TPC8039-H** from the manufacturer **TOSHIBA**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TPC8039-H  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- **Low On-Resistance:** Provides high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Isolated Package (TO-220F):** Enhances thermal performance and electrical isolation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load applications.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other power management systems.  

This information is based on TOSHIBA's official datasheet for the TPC8039-H MOSFET.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPC8039-H** is manufactured by **TOS (Toshiba)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-220F  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  

### **Description:**  
The **TPC8039-H** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **TO-220F Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

For exact application details, refer to the official datasheet from **Toshiba (TOS)**.