Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications The TPC8010H is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- The TPC8010H is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for reliability in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba's official datasheet.