Power MOSFET (P-ch single) The TPC6106 is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 3A  
- **Collector Dissipation (PC):** 25W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- High current capability (3A).  
- Medium power dissipation (25W).  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Epitaxial planar construction for improved performance and reliability.  
- Available in a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.