N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TN0620 is a transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 600mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 500mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 - 820 (at IC = 10mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (Typical)  

### **Description:**  
The TN0620 is a high-frequency, low-noise NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for use in RF and audio circuits due to its high gain and transition frequency.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low noise performance  
- High transition frequency (fT) for RF applications  
- Epitaxial planar construction for reliability  
- Suitable for small-signal amplification  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs