TK7A65D

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK7A65D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
The TK7A65D is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Toshiba’s official datasheet for the TK7A65D MOSFET.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)