650V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP7N65C is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 28A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.9Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 65ns (typ)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP7N65C.

650V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP7N65C is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 28A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.95Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns  
- **Rise Time (t_r)**: 70ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns  
- **Fall Time (t_f)**: 30ns  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications.