Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK5A65DA is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 7pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The TK5A65DA is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is housed in a TO-220F package, providing efficient thermal performance.  
- Suitable for power supply circuits, motor control, and other high-voltage switching applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 650V for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides reliability in rugged conditions.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation.