Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK3A60DA is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 600V  
- **Collector Current (I_C):** 3A  
- **Collector Power Dissipation (P_C):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60 (at I_C = 1A, V_CE = 5V)  
- **Turn-On Time (t_on):** 0.4μs (typical)  
- **Turn-Off Time (t_off):** 1.2μs (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Suitable for power supply circuits, inverters, and motor control.  
- Features a built-in fast-recovery diode for improved switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V collector-emitter voltage.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power circuits.  
- **Isolated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation between the transistor and heatsink.  
- **Built-in Diode:** Includes a fast-recovery diode for improved performance in inductive load applications.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.