Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a silicon epitaxial-base NPN power transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 60 (at I_C = 0.5A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -65°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for medium-power amplification and switching applications.  
- High voltage capability with a V_CE rating of 100V.  
- Suitable for use in power supplies, inverters, and motor control circuits.  
- Epitaxial-base construction ensures good performance in switching applications.  
- TO-220 package provides efficient heat dissipation.  
- Complementary PNP type: TIP29C (if applicable).  

The TIP30C is commonly used in electronic circuits requiring medium power handling with reliable switching characteristics.

Leaded Power Transistor General Purpose

Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a power transistor manufactured by Motorola (MOT) and Fairchild Semiconductor (FSC).  

### **Manufacturer Specifications (MOT/FSC):**  
- **Type:** NPN Epitaxial Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 60 (at I_C = 0.5A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- High voltage capability (up to 100V).  
- Medium power dissipation (30W).  
- TO-220 package for easy mounting.  
- Suitable for power supply circuits, motor control, and audio amplification.  
- Complementary PNP type: TIP29C (for push-pull configurations).  

The TIP30C is a robust transistor commonly used in medium-power applications requiring reliable performance.

Leaded Power Transistor General Purpose

Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a power transistor manufactured by ON Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 60  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The TIP30C is a medium-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for use in power supplies, motor control, and audio amplifiers.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- Low leakage current  
- Complementary to PNP type TIP29C  
- TO-220 package for easy mounting  

This information is based on the ON Semiconductor datasheet for the TIP30C.

Leaded Power Transistor General Purpose

Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a silicon epitaxial-base NPN power transistor manufactured by HI-SINCE.  

### **Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 60  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -65°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The TIP30C is designed for general-purpose amplification and switching applications. It features high voltage capability and medium current handling, making it suitable for power regulation and driver circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- Low saturation voltage  
- Complementary to TIP29C (PNP)  
- TO-220 package for easy mounting  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official HI-SINCE documentation.

Leaded Power Transistor General Purpose

Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 60 (at I_C = 0.5A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220 (through-hole)  

### **Descriptions:**  
The TIP30C is a medium-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is commonly used in power supply circuits, audio amplifiers, and motor control systems.  

### **Features:**  
- High voltage capability (up to 100V)  
- Medium current handling (1A continuous)  
- Complementary PNP pair available (TIP29C/TIP30C)  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  
- Suitable for linear and switching applications  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the TIP30C.

Leaded Power Transistor General Purpose

Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a silicon epitaxial-base PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -100 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -100 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5 V  
- **Collector Current (I_C):** -1 A  
- **Base Current (I_B):** -1 A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 30 W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150 °C  
- **Storage Temperature Range (T_stg):** -65 to +150 °C  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- Complementary to NPN TIP29C/TIP31C/TIP32C  
- Low leakage current  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications  

### **Package:**  
- TO-220 (leads are fully insulated)  

### **Applications:**  
- Power switching  
- Linear amplification  
- Relay and solenoid drivers  

For detailed electrical characteristics, refer to the STMicroelectronics datasheet.

Leaded Power Transistor General Purpose

Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a power transistor manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **Fairchild Semiconductor (FSC)**  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 100V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 1A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 60  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  

### **Description:**  
- The TIP30C is a medium-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It comes in a **TO-220 package**, making it suitable for heat dissipation when used with a heatsink.  

### **Features:**  
- High voltage capability (up to 100V)  
- Medium current handling (1A continuous)  
- Good DC current gain range (10–60)  
- Suitable for power amplification and switching circuits  
- Robust TO-220 package for thermal management  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Leaded Power Transistor General Purpose

Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a silicon PNP power transistor manufactured by Motorola (MOT).  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 60 (at I_C = 1A, V_CE = -4V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220 (plastic case)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- High voltage capability with a collector-emitter breakdown voltage of -100V.  
- Suitable for medium-power applications.  
- TO-220 package allows for easy mounting on heat sinks for improved thermal performance.  
- Complementary NPN type: TIP29C.  

This information is based on the original Motorola (MOT) datasheet.

Leaded Power Transistor General Purpose

Leaded Power Transistor General Purpose The TIP30C is a silicon epitaxial-base PNP power transistor manufactured by SAMSUNG. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -3A (continuous), -5A (peak)  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 60 (at I_C = -3A, V_CE = -4V)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TIP30C is a high-voltage, medium-power PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and ease of mounting.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- High current handling  
- Low saturation voltage  
- Complementary to NPN TIP29C/TIP31C/TIP32C series  
- Suitable for power switching and linear amplification  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Leaded Power Transistor General Purpose