### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Darlington Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -10A  
- **Base Current (I_B):** -4A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min) at I_C = -4A, V_CE = -4V  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-218 (also available in TO-247)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High current gain (Darlington configuration)**  
- **Low saturation voltage**  
- **High collector current capability**  
- **Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications**  
- **Complementary NPN type: TIP142**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics documentation.