PNP Epitaxial Silicon Transistor The BDW94C is a power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP Darlington Transistor  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -12A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 80W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 750 (min) at IC = 5A, VCE = -4V  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the factual specifications for the BDW94C transistor from ST.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The BDW94C is a power transistor manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: PNP Darlington Transistor  
2. **Package**: TO-220  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -100V  
4. **Maximum Collector Current (I_C)**: -12A  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 80W  
6. **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = 5A, V_CE = -4V  
7. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the factual specifications for the BDW94C as provided by STMicroelectronics.