COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS The TIP130 is a power transistor manufactured by POWER (a division of STMicroelectronics).  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Darlington Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector Current (I_C):** 4A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 65W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current switching and amplification applications.  
- Darlington configuration provides high current gain.  
- Suitable for general-purpose power amplification and switching.  
- Built-in base-emitter shunt resistors for improved performance.  
- Robust TO-220 package for efficient heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS The TIP130 is a PNP Darlington transistor manufactured by Texas Instruments (TI). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Darlington  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -4A  
- **Peak Collector Current (I_CM):** -8A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 65W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min) at I_C = -3A  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -65°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The TIP130 is a high-current, high-voltage PNP Darlington transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- It features a built-in base-emitter shunt resistor for improved performance and stability.  
- The Darlington configuration provides high current gain, making it suitable for driving high-power loads.  

### **Features:**  
- High DC current gain (h_FE ≥ 1000)  
- Low saturation voltage  
- Built-in base-emitter resistor for improved switching performance  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  
- Suitable for power amplification and switching applications  

For exact datasheet details, refer to Texas Instruments' official documentation.

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS