NPN Epitaxial Silicon Transistor The BDX53C is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Darlington Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -8A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 60W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = 4A, V_CE = -4V  
- **Transition Frequency (f_T)**: 20MHz  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BDX53C.