### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 200A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 800A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer applications.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.