STB170NF04

N-channel 40 V, 4.4 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package The STB170NF04 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 170A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STB170NF04 is a N-channel Power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and high switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 40 V, 4.4 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package