N-CHANNEL 600V The STB11NM60FD-1 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB11NM60FD-1 is a high-voltage MOSFET designed for efficient switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for reduced switching losses  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Low R_DS(on)** for high efficiency  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 600V