N-CHANNEL 24V The STB100NH02LT4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The STB100NH02LT4 is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and high power efficiency, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

These details are based on STMicroelectronics' official documentation. For further technical specifications, refer to the datasheet.

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