55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1010N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF1010N  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  

### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  

### **Switching Characteristics:**  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Package & Thermal Characteristics:**  
- **Package:** TO-220AB  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Thermal Resistance (R_θJC):** 0.75°C/W  

### **Descriptions & Features:**  
- **Description:** The IRF1010N is a high-current N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- **Features:**  
  - Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency.  
  - Fast switching speed.  
  - Rugged and reliable HEXFET® technology.  
  - Avalanche energy specified for improved robustness.  
  - Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF1010N.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package