N-Channel JFET Switch S-04028—Rev. F, 04-Jan-017-4r – Drain-Source On-Resistance ( Ω )Switching Time (ns)r – Drain-Source On-Resistance ( Ω ) DS(on)DS(on)r – Drain-Source On-Resistance ( Ω )Switching Time (ns)Capacitance (pF) DS(on)gos – Output Conductance ( S)2N/PN/SST4391 SeriesVishay Siliconix
     Forward Transconductance and Output onductancevs. Gate-Source Cutoff Voltage*Noise Voltage vs. Frequency100 50500g and g @ V = 20 Vfs os DSV = 10 VDSV = 0 V, f = 1 kHzGS40400g gfsos3020010I = 1 mAD20200µI = 10 mAD1010010 00 –2 –4 –6 –8 –1010 100 1 k 10 k 100 kf – Frequency (Hz) V – Gate-Source Cutoff Voltage (V)GS(off)Gate Leakage Current Common-Gate Input Admittance10 nA 100I @ 125CGSSV = 10 VDGI = 10 mADI = 10 mADT = 125CA T = 25C gA ig1 nA101 mA100 pAbig1 mA10 pA10 mAI @ 25CGSS1T = 25CA1 pAI @ IG(on) D0.1 pA 0.1100 200 500 100003 6 1218240V – Drain-Gate Voltage (V) f – Frequency (MHz)DGCommon-Gate Forward Admittance Common-Gate Reverse Admittance100 10V = 10 V V = 10 VDG DGI = 10 mA I = 10 mAD DT = 25C T = 25CA A–g bfgfg–brg1.010gfg–grg+grg0.110.010.1100 200 500 1000 100 200 500 1000f – Frequency (MHz) f – Frequency (MHz)Document Number:  70241

N-Channel JFET Switch