N-Channel RF Amplifier The BF245A is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Philips (PH). Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel JFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: 30V  
- **Maximum Drain Current (I_D)**: 25mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 350mW  
- **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off))**: -0.5V to -6.0V  
- **Zero-Gate-Voltage Drain Current (I_DSS)**: 6mA to 15mA  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 4.5pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 2.5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 1.5pF (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  

The BF245A is commonly used in low-noise amplifiers, switching circuits, and high-impedance applications.  

(Source: Philips Semiconductors Datasheet)

N-Channel RF Amplifier The BF245A is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by various semiconductor companies, including Philips (NXP), Fairchild, and others.  

### **FSC (Federal Supply Code) Specifications for BF245A:**  
- **FSCM (Federal Supply Class Manager):** 5961 (Semiconductor Devices and Associated Hardware)  
- **Part Number:** BF245A  
- **Description:** N-Channel Junction Field-Effect Transistor (JFET)  
- **Manufacturer Codes:** May vary by supplier (e.g., Philips, Fairchild, etc.)  
- **Military/Govt Specs:** Typically not a military-grade part unless specified under a Qualified Manufacturers List (QML) or MIL-PRF.  
- **Standard Packaging:** Bulk, tape & reel, or tube (depends on supplier)  

For exact FSC details, consult the official Defense Logistics Agency (DLA) or Federal Logistics Data (FLIS) database.

N-Channel RF Amplifier The BF245A is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by **FAIRCHILD**. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel JFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: 30V  
- **Maximum Drain Current (I_D)**: 10mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 350mW  
- **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off))**: -0.5V to -6.0V  
- **Forward Transfer Admittance (Y_fs)**: 3.5mS (min) at V_DS = 15V, I_D = 2mA  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 4.5pF (max)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 2.5pF (max)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 1.5pF (max)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BF245A is commonly used in low-noise amplifier and switching applications.

N-Channel RF Amplifier The BF245A is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by National Semiconductor Corporation (NSC).  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-channel JFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: 30V  
- **Maximum Drain Current (I_D)**: 10mA  
- **Maximum Power Dissipation (P_D)**: 300mW  
- **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off))**: -0.5V to -6.0V  
- **Zero-Gate-Voltage Drain Current (I_DSS)**: 2mA to 10mA  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 5pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 2.5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 1.5pF (typical)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on NSC's datasheet for the BF245A.