Monolithic Low Noise S-04031—Rev. F, 04-Jun-018-3I – Drain Current (mA) I – Drain Current (mA)D D I – Saturation Drain Current (mA)DSSI – Drain Current (mA) I – Gate LeakageD GI – Drain Current (mA)DSST/U401 SeriesVishay Siliconix
     Gate-Source Differential VoltageTransfer Characteristics vs. Drain Current1005V = –1.5V V = 15 VGS(off) DSV = 15 VDG4T = –55CA25C3SST/U404102U401125C1010 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2 0.01 0.1 1V – Gate-Source Voltage (V) I – Drain Current (mA)GS DVoltage Differential with Temperature Common Mode Rejection Ratiovs. Drain Current vs. Drain Current100130V = 15 VDGVDGT = 25 to 125C CMRR = 20 logAT = –55 to 25C A V V–120 GS1 GS2SST/U404110V = 10 – 20 VDG10U4011005 – 10 V908010.01 0.1 1 0.01 0.1 1I – Drain Current (mA) I – Drain Current (mA)D DCircuit Voltage Gain vs. Drain Current On-Resistance vs. Drain Current150 500120 400V = –1.5 VGS(off)V = –1.0 VGS(off)–2.0 V90300–1.5 V60 200–2.0 Vg Rfs LA V1 R gosLAssume V = 15 V, V = 5 VDDDS30 10010 VR ILD000.01 0.1 1 0.01 0.1 1I – Drain Current (mA) I – Drain Current (mA)DDDocument Number:  70247

Monolithic Low Noise