Very High Frequency S-04028—Rev.  G,  04-Jun-017-4I – Saturation Drain Current (mA)I – Drain Current (mA) r – Drain-Source On-Resistance ( Ω ) DSSD DS(on)I – Gate Leakageg – Forward Transconductance (mS) GfsI – Drain Current (mA)DJ/SST/U308 SeriesVishay Siliconix
"     "# !Output Characteristics Output Characteristics20 50V = –1.5 V V = –3 VGS(off) GS(off)V = 0 VGSV = 0 VGS16 40–0.2 V–0.4 V12 30–0.4 V –0.8 V–1.2 V8 20–0.6 V–1.6 V–0.8 V4 10–2.0 V–1.0 V–2.4 V0 00621 4 80 0428 6 10V – Drain-Source Voltage (V)V – Drain-Source Voltage (V)DS DSTransfer Characteristics Transfer Characteristics30 100V = –1.5 V V = 10 V V = –3 V V = 10 VGS(off) DS GS(off) DS24 80T = –55C T = –55CA A18 6025C25C12 40125C125C6 200 00 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2 0 –0.6 –1.2 –1.8 –2.4 –3V – Gate-Source Voltage (V) V – Gate-Source Voltage (V)GS GSTransconductance vs. Gate-Source Voltage Transconductance vs. Gate-Source Voltage30 50V = –1.5 V V = 10 V V = –3 V V = 10 VGS(off) DS GS(off) DSf = 1 kHz f = 1 kHz24 40T = –55CAT = –55CA25C18 30125C25C12 20125C6 100 00 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2 0 –0.6 –1.2 –1.8 –2.4 –3V – Gate-Source Voltage (V) V – Gate-Source Voltage (V)GS GSDocument Number:  70237

Very High Frequency