High Speed N-Channel JFET Switch(SMT) S-04028—Rev. E, 04-Jun-017-4I(mS) – Gate LeakageG en – Noise Voltage  nV /    Hzg – Forward Transconductance (mS)fs(mS) (mS)J/SST111 SeriesVishay Siliconix
 
 



 
Common-Gate Output AdmittanceOutput Characteristics100100V = 10 VDGV = –4 VGS(off)I = 10 mADT = 25CA80bog10V = 0 V60GS–0.5gog40–1.01–1.520–2.0–2.50.1 0100 200 500 100001 24 6 80f – Frequency (MHz) V – Drain-Source Voltage (V)DSOutput Characteristics Transfer Characteristics40 100V = –4 V V = –4 V V = 20 VGS(off) DSGS(off)32 80T = –55CAV = 0 VGS24 –0.5 6025C–1.016 40–1.5–2.08 20–2.5125C–3.00 00 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 –1 –2 –3 –4 –5V – Drain-Source Voltage (V) V – Gate-Source Voltage (V)DS GSVDD 

 
J/SST111 J/SST112 J/SST113RLV –12 V –7 V –5 VGS(L)OUTR *800 
 1600 
 3200 
LVGS(H)I 12  mA 6 mA 3  mAD(on)*Non-inductiveVGS(L)1 k
 51 

   
VGSRise Time < 1 ns Rise Time 0.4 nsScopeFall Time < 1 ns Input Resistance 10 M
Pulse Width 100 ns Input Capacitance 1.5 pF51 
PRF 1 MHzDocument Number:  70232

High Speed N-Channel JFET Switch(SMT)