Multi-chip discrete device (N-ch + SBD) Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitGate leakage current I V = ±20 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = 1 mA, V = 0 20 ⎯ ⎯ V  (BR) DSS D GSDrain Cut-off current I V = 20 V, V = 0 ⎯ ⎯ 1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = 3 V, I = 0.1 mA 1.1 ⎯ 2.3 V th DS DForward transfer admittance |Y| V = 3 V, I = 0.75 A (Note 4) ⎯ 1.1 ⎯ S fs DS DI = 0.6 A, V = 10 V (Note 4) ⎯ 240 320D GSDrain-Source on-resistance R mΩDS (ON)I = 0.6 A, V = 4 V (Note 4) ⎯ 400 540D GSInput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 36 ⎯ pF iss DS GSReverse transfer capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 10 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C V = 10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 30 ⎯ pF oss DS GSTurn-on time t ⎯ 21 ⎯ on V = 10 V, I = 0.6 A DD DSwitching time ns V = 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω GS GTurn-off time t ⎯ 8 ⎯ offNote 4: Pulse measurement  Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN 2.5 V 90% V = 10 V DD 4 V OUT R = 4.7 ΩG IN  10% Duty ≤ 1% 0 V  0 V : t , t < 5 ns IN r f Common source VDD10 μs  (c) V 90% Ta = 25°C OUT V 10% DD VDS (ON)t tr f  t t on off Precaution V can be expressed as voltage between gate and source when the low operating current value is I = 100 μA for th D this product. For normal switching operation, V requires a higher voltage than V and V requires a GS (on) th GS (off)lower voltage than V . th(The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Be sure to take this into consideration when using the device.  3 2014-03-01 R GSSM5H07TU Schottky Diode

Multi-chip discrete device (N-ch + SBD)