P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI2307CDS-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2307CDS-T1-GE3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 60mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Applications:** Power management, load switching, battery protection, DC-DC conversion  

### **Features:**
- Low on-resistance for improved efficiency  
- Fast switching performance  
- Optimized for portable and battery-powered applications  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This MOSFET is designed for high-performance power management in compact electronic devices.

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET