P-Channel SIPMOS Power Transistor The part **SPP08P06P** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-state resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance in switching regulators and motor control.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, power management circuits, and automotive applications**.  

Would you like additional details on any specific parameter?