for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The **SPP04N80C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.4 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **SPP04N80C3** is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (800 V)**  
- **Low On-Resistance (1.4 Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

The MOSFET is available in a **TO-252 (DPAK)** package.  

(Source: Infineon datasheet)

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