for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The SPD04N80C3 is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 4A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The SPD04N80C3 is a **N-channel MOSFET** designed for high-voltage switching applications.  
- It is optimized for **efficiency and reliability** in power conversion circuits.  
- Suitable for **switching power supplies, motor control, and industrial applications**.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (800V)**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on Infineon’s technical documentation for the SPD04N80C3.

for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ...