Low Voltage MOSFETs The **SPB80N03S2L-04** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Key Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110 W  
- **R_DS(on) (Max):** 4 mΩ @ V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-state resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters.  
- **Fast switching performance** due to low gate charge (Q_G).  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  
- **Suitable for:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power management in automotive and industrial applications  

This information is sourced directly from Infineon's official datasheet for the SPB80N03S2L-04.

Low Voltage MOSFETs