for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA08N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45 ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPA08N50C3** is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other power management systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures reliability under inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the **SPA08N50C3** power MOSFET.