### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SKW30N60 is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for efficiency in power conversion systems, motor control, and industrial applications.  
- The device features low gate charge and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.