600V & 1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching and up to 30kHz for soft switching with antiparallel diode. ... The **IKW30N60T** is a power transistor manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 30 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 18 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical at I_C = 30 A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The **IKW30N60T** is a **N-channel IGBT** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for **low conduction and switching losses**, making it suitable for **motor drives, inverters, and power supplies**.  
- The device features **Infineon’s TrenchStop™ technology**, which enhances performance and reliability.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** capability for improved efficiency.  
- **High current handling** with a 30 A rating at 25°C.  
- **Temperature-stable performance** with a wide operating range.  
- **Robust and reliable** due to Infineon’s advanced IGBT technology.  
- **TO-247 package** for effective thermal management.  

This information is based on Infineon’s official datasheet and product documentation.