Power MOSFET The **SIHG20N50C-E3** is a power MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SIHG20N50C-E3  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
The **SIHG20N50C-E3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, high-speed switching, and robust performance in high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.25Ω max @ V_GS = 10V)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Power Dissipation (330W)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247AC Package for Enhanced Thermal Performance**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations or usage guidance.

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Power MOSFET The SIHG20N50C-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix in the TO-247 package. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
### **Package:** TO-247  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SIHG20N50C-E3 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other power management systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **High Avalanche Energy Rating** for rugged performance  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced drive requirements  
- **100% R_g and UIS Tested** for reliability  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

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