N-CHANNEL 500V The STW20NM50 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  

### **Description:**  
The STW20NM50 is a high-voltage, high-current MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured ruggedness in inductive load switching.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-power applications.

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