P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The part **SI8401DB-T1** is manufactured by **SILICONIX** (a division of Vishay). Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Part Number:** SI8401DB-T1  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Package:** DB (Dual Flat No-Lead)  
- **Voltage Rating (VDS):** 20V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per channel)  
- **RDS(ON) (Max):** 28mΩ (at VGS = 4.5V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- The SI8401DB-T1 is a **dual N-channel MOSFET** designed for high-efficiency power management applications.  
- It utilizes **TrenchFET® Gen III technology**, offering low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for **load switching, power management, and DC-DC conversion** in portable and compact devices.  
### **Features:**  
- **Low RDS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package for space-saving designs.  
- **Optimized for low-voltage drive (4.5V VGS)** in battery-powered applications.  
- **Lead-free and RoHS-compliant** packaging.  
- **AEC-Q101 qualified** (if applicable, verify datasheet).  
For exact performance characteristics, refer to the official **SILICONIX/Vishay datasheet**.