SI786CG

Dual-Output Power-Supply Controller The SI786CG is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045 Ω (max) at V_GS = -4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -2 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI786CG is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current-handling capability  
- Logic-level gate drive compatibility  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

For detailed application notes or additional technical information, refer to the official Vishay Siliconix datasheet.

Dual-Output Power-Supply Controller