### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** -30 V  
- **Current (ID):** -5.7 A  
- **RDS(ON):** 0.055 Ω (max) @ VGS = -10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced TrenchFET® Technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Optimized for Power Management** in applications like DC-DC converters, load switches, and battery protection.  
- **Low Gate Charge (Qg)** for fast switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant**.  

For detailed datasheets, refer to Vishay Siliconix's official documentation.