SI7842DP

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Siliconix (Vishay)  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 11A (per channel)  
- **RDS(ON) (Max):** 19mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 15nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Low RDS(ON) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Dual-Channel Design:** Two N-Channel MOSFETs in a single package.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance in power management applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, power supplies, motor control, and load switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.